半导体工艺实现关键突破,未来芯片成本有望节省一半

据中国证券报报道,Institute of Microeletronics(IME)的研究人员近日实现了一项技术突破,完成了多达四个半导体层的堆叠。与传统的二维制造技术相比,可以节省50%的成本,该技术可能会用于未来的CPU和GPU上,或许真正的新一代3D芯片堆叠就在眼前。

相比此前台积电和AMD的SRAM堆叠技术,IME的这项新技术更进一步,通过TSV(硅通孔技术)成功粘合了四个独立的硅层,允许不同模具之间通信。这样的技术带来的好处是显而易见的,可以允许芯片由不同工艺的组件在不同晶圆中制造。

相关公司:

赛微电子:公司掌握了硅通孔(TSV)等多项在业内具备国际领先竞争力的工艺技术和工艺模块,拥有目前业界最先进的硅通孔绝缘层工艺平台(TSI)。

晶方科技:公司为全球WLCSP封装技术的引领者,拥有领先的硅通孔(TSV)技术。

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版权声明:Aaron 发表于 2021年7月21日 上午1:37。
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